发射度测量
发射度测量系统
用途：测量束流横向相空间分布，用于计算发射度值和TWISS参数。
原理：相空间位置分量x通过狭缝采样，在x处的角度分布x‘则通过下游双丝或荧光屏处的剖面宽度决定。当狭缝不断扫描束流直到覆盖整个剖面宽度，则完成了整个相空间的采样。RMS发射度定义为
|
|
回旋发射度测量
说明：标准结构为狭缝+丝，其他结构如狭缝+法拉第筒，狭缝+多丝/荧光靶，等请联系客服
离子束发射度测量系统
用途：用于能量低于100MeV/u的离子束或质子束发射度测量。
技术指标：（以下为标准尺寸，其它要求请联系客服）
|
适用能量 |
<100MeV/u质子或碳等重离子 |
|
设备组成 |
水平狭缝*1，垂直狭缝*1，丝扫器*1 |
|
安装法兰 |
CF100/CF150 |
|
运动控制 |
电机驱动 |
|
定位精度 |
0.01mm |
|
典型系统分辨 |
<0.1mm*mrad（实际与信噪比相关） |
|
数据获取 |
前置放大器+FPGA |
|
数据处理 |
基于零阈值的发射度计算方法，包括逐轴插值、小波阈值降、自动边沿探测技术、外插值 |
|
剖面测量 |
双丝，最大速度10cm/s（实际按沉积功率大小调节设置） |
|
狭缝开口 |
0.2~1mm（固定宽度） |
|
丝材料 |
镀金钨丝Φ50um/Φ100um |
|
拉丝机制 |
弹簧张力 |
|
使用限制 |
丝温度<1200℃ |
|
信号大小 |
放大器增益可调 |
|
适用束流强度及功率 |
请联系客服 |
电子枪发射度测量系统
用途：用于电子枪及电子束发射度测量。
技术指标：（以下为标准尺寸，其它要求请联系客服）
|
适用能量 |
常规<200keV电子束 |
|
设备组成 |
水平狭缝*1，垂直狭缝*1，荧光屏*1 |
|
安装法兰 |
CF100/CF150 |
|
运动控制 |
电机驱动 |
|
定位精度 |
0.01mm |
|
典型系统分辨 |
<0.02mm*mrad（实际与信噪比相关） |
|
图像获取 |
高分辨CCD+千兆网络 |
|
数据处理 |
基于零阈值的发射度计算方法，包括逐轴插值、小波阈值降、自动边沿探测技术、外插值 |
|
剖面测量 |
荧光屏+CCD |
|
狭缝开口 |
0.05~0.5mm（固定宽度） |
|
荧光屏材料 |
常规选择YAG:Ce屏 |
|
适用束流强度及功率 |
请联系客服 |
电子枪束斑及发射度测量
10.3其它发射度测量相关（请联系客服）
发射度测量模拟
发射度测量算法开发
功能实现
1、四极铁扫描（Q铁扫描）发射度测量：加入厚透镜修正、抛物线拟合升级为LM非线性优化算法、加入色散及动量分散修正、数据误差棒及置信区间、增加相空间失配可视化及失配因子计算、数据插值及滤波。
2、 slitgrid发射度测量：逐轴插值、基于BayesShrink算法的小波阈值降噪、基于Marching squares算法的自动边沿探测技术、外插值等
